8 月 26 日消息 半导体制造与先进晶圆级封装领域设备供应商，盛美半导体设备今日发布了新产品 ——Ultra ECP GIII 电镀设备，以支持化合物半导体 SiC, GaN) 和砷化镓 GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。Ultra ECP GIII 还配备了全自动平台，支持 6 英寸平边和 V 型槽晶圆的批量工艺，同时结合了盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现最佳性能。
盛美半导体设备表示:“随着电动汽车、5G 通信、RF 和 AI 应用的强劲需求，化合物半导体市场正在蓬勃发展。一直以来，化合物半导体制造工艺的自动化水平有限，并且受到产量的限制。此外，大多数电镀工艺均采用均匀性较差的垂直式电镀设备进行。盛美新研发的 Ultra ECP GIII 水平式电镀设备克服了这两个困难，以满足化合物半导体不断提升的产量和先进性能需求。”
盛美的 Ultra ECP GIII 设备通过两项技术来实现性能优势：盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术。第二阳极技术可通过有效调整晶圆级电镀性能，克服电场分布差异造成的问题，以实现卓越的均匀性控制。它可以应用于优化晶圆边缘区域图形和 V 型槽区域，并实现 3% 以内的电镀均匀性。
盛美的高速栅板技术可达到更强的搅拌效果，以强化传质，从而显著改善深孔工艺中的台阶覆盖率，同时提升的步骤覆盖率可降低金薄膜厚度，从而为客户节约成本。
盛美半导体的 Ultra ECP GIII 已取得来自中国化合物半导体制造商的两个订单。第一台订单设备采用第二阳极技术的铜-镍-锡-镀银模块，且集成真空预湿腔体和后道清洗腔体，应用于晶圆级封装，已于上月交付。第二台订单设备适用于镀金系统，将于今年下一季度交付客户端。