5月15日消息，从比亚迪半导体官方获悉，比亚迪半导体西安研发中心即将启用。
位于西安的半导体研发中心，将配备近千人的研发团队，是比亚迪半导体精心布局的全新研发基地，承担着开启新一轮半导体创新与研发攻坚战的使命。
比亚迪半导体将充分利用西安在集成电路方面的人才资源、供应链资源及客户资源，主要从事功率半导体、智能传感器、智能控制IC等半导体产品的设计及服务，进一步提升公司产品研发和技术实力。
据悉，，历时两年积累，比亚迪半导体打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片，并计划于比亚迪半导体西安研发中心全新发布。
截止2020年底，以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆，单车行驶里程超过100万公里。
IGBT4.0芯片通过精细化平面栅设计，使得同等工况下，综合损耗较市场主流产品降低了约20%，整车电耗显著降低。
比亚迪半导体称，IGBT6.0芯片采用新一代自主研发的高密度沟槽栅技术，相较同类产品在可靠性及产品性能上将实现重大突破，达到国际领先行列。
资料显示，IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是一种大功率的电力电子器件，主要用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的交流电，俗称电力电子装置的“CPU”。
IGBT是新能源汽车最核心的技术，其好坏直接影响电动车功率的释放速度：直接控制直、交流电的转换，同时对交流电机进行变频控制，决定驱动系统的扭矩（直接影响汽车加速能力）、最大输出功率（直接影响汽车最高时速）等。
IGBT芯片晶圆