据快科技报道,台积电正式披露了其最新 3nm 工艺的细节详情,其晶体管密度达到了 2.5 亿/mm²。作为参考,采用台积电 7nm EUV 工艺的麒麟 990 5G 尺寸 113.31mm²,晶体管密度 103 亿,平均下来是 0.9 亿/mm²,3nm 工艺晶体管密度是 7nm 的 3.6 倍。
性能提升上,台积电 5nm 较 7nm 性能提升 15%,能耗提升 30%,而 3nm 较 5nm 性能提升7%,能耗提升 15%。
此外台积电还表示,3nm 工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在 2021 年进入风险试产阶段,2022 年下半年量产。
工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的 FinFET 工艺在成本及能效上更佳,所以 3nm 首发依然会是 FinFET 晶体管技术。