作者：懒猫
IT 之家 2 月 5 日消息日前，三星正式宣布推出名为 Flashbolt 的第三代 HBM2（HBM2E）存储芯片。
第三代 HBM2 存储芯片单颗最大容量 16GB，由 16Gb 的单 Die 通过 8 层堆叠而成，可实现 16GB 的封装容量，并确保 3.2Gbps 的稳定数据传输速度。
三星方面表示，新型 16GB HBM2E 特别适用于高性能计算（HPC）系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、AI 驱动的数据分析和最新的图形系统。
三星预计第三代 HBM2 存储芯片将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代 Aquabolt 产品阵容，同时扩展其第三代 Flashbolt 产品。