作者：上方文Q
1 月 16 日，长江存储召开市场合作伙伴年会，并在会前披露了闪存技术方面的一些新情报。
就在日前，长江存储确认自主研发的 64 层已经在去年投入量产256Gb TLC)，并正扩充产能，将尽早达成 10 万片晶圆的月产能规模，并按期建成 30 万片月产能
据长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，长江存储 64 层闪存的存储密度是全球第一的，和友商 96 层闪存相比差距也在 10％ 之内，并且绝非低端产品，质量有保证，是可以保证盈利的。
接下来，长江存储将跳过如今业界常见的 96 层，直接投入 128 层闪存的研发和量产工作，但暂时没有分享具体时间表。
2020 年，全球闪存行业将集体奔向 100+ 层，比如 SK 海力士已在近期出货 128 层闪存并将在年底做到 176 层，三星有 128 层、136 层，西数、铠侠原东芝存储)都是 112 层但存储密度更高，美光 128 层，Intel 则会做成 144 层。
长江存储选择直奔 128 层，无疑能进一步缩小与行业先进水平的差距，但挑战性肯定也更大。
在技术创新层面，长江存储研发了自己的 Xtacking 堆栈架构，已经可以保证可靠性问题，下一代的 Xtacking 2.0 也正在推进中，会重点拓展性能、功能，也是直接上 128 层堆叠的重要保障。
据介绍，长江存储 Xtacking 架构可以实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，有利于选择更先进的逻辑工艺，提升闪存I/O接口速度、存储密度，芯片面积也能减少约 25％。
当两片晶圆各自完工后，只需一个处理步骤，就可通过数百万根垂直互联通道VIA)，将两片晶圆键合在一起。
得益于并行的、模块化的产品设计及制造，Xtacking 闪存的开发时间也可缩短三个月，生产周期则可缩短 20％。