4 月 25 日消息，韩国科技先进研究院（KAIST）近日发表论文，成功研发新型相变存储器（phase change memory，PCM），可以灵活切换结晶（低电阻）和非晶体（高电阻），从而结合 DRAM 和 NAND 的优点。
DRAM 速度快但不稳定，这意味着断电时（例如关闭计算机时）存储在其中的数据就会消失；而 NAND 闪存即使断电也能保留数据，但速度明显慢于 DRAM。
PCM 虽然实现了速度和非易失性的“鱼与熊掌兼得”，但制造成本非常昂贵，而且需要大量热量将相变材料熔化成非晶态，因此生产过程非常耗电。
由 Shinhyun Choi 教授带领的科研团队设计了新的方法，通过仅收缩直接参与相变过程的组件，创建相变纳米丝（phase-changeable nano filament）。
与使用昂贵的光刻工具制造的传统相变存储器相比，这种新颖的方法将耗电量降低至 15 分之一，而且制造成本也低得多。
新型相变存储器保留了传统存储器的许多特性，如速度快、ON / OFF 比大、变化小、多级存储特性等。
Choi 表示，他们预计研究结果将成为未来电子工程的基础，并可能应用于高密度 3D 垂直存储器、神经形态计算系统、边缘处理器和内存计算系统。
附上参考地址
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Phase-change memory via a phase-changeable self-confined nano-filament