4 月 19 日消息，综合外媒 SemiAnalysis 和 The Elec 报道，英特尔考虑在未来的 High NA EUV 光刻节点导入定向自组装 DSA 技术进行辅助。
DSA 是两项被认为可部分取代传统光刻的新型图案化技术之一（注：另一项是纳米压印 NIL），其利用嵌合共聚物的分子特性实现图案化，一般被认为适合辅助传统光刻而非独立运用。
SemiAnalysis 认为，High NA EUV 光刻面临的一大问题就是关键尺寸（CD，衡量半导体工艺精细程度的关键指标之一）定时照射剂量和光刻机晶圆吞吐量的矛盾。
如果晶圆厂需要在保证关键尺寸的前提下拥有良好的图案化效果，那么就必须加大照射剂量，这将导致光刻过程放慢，光刻机晶圆吞吐量降低，晶圆厂成本负担加重。
而如果晶圆厂以较高的吞吐量运行光刻机，那就意味着光刻图案的质量随照射剂量的减少而下降。此时 DSA 定向自组装技术就可发挥作用，修复光刻图案上的特征错误。
引入 DSA 定向自组装可在提升光刻图案质量的同时，降低照射剂量，提升光刻机晶圆吞吐量，使 High NA EUV 光刻更具成本可行性。
除 DSA 外，英特尔也考虑在 High NA EUV 光刻中导入图案塑形技术。
应用材料公司于去年初发布了 Centura Sculpta 图案塑形系统。该系统可定向精确修改晶圆上的特征图案，减少最关键图层的光刻次数，也具有提升光刻图案质量的作用。
三星电子方面也有引入 Centura Sculpta 系统的意向。
英特尔研究员马克・菲利普（Mark Phillip）强调：“为了提高光刻工艺的效率，有必要引入光刻机以外的设备来进行补充。”