1月4日，据中国家电网报道，存储器行业正迎来一场涨价潮。三星电子、美光等存储器大厂计划在今年第一季度将DRAM价格调涨15%-20%，从1月起正式执行。这一消息已得到部分厂商的证实，他们透露已收到三星的涨价预告。
业界人士分析，此次涨价的原因主要是上游原厂试图通过提价改善营运亏损。值得注意的是，涨价的焦点将从NAND转移至DRAM。DDR4和DDR5有望成为下一波调涨的重点，而DDR3的产能及需求相对稳定，预计涨幅相对平缓。
随着上游原厂酝酿提价，多家存储器模块业者已经开始备货，预计供货给OEM厂的合约价将延后一个季度跟进。这意味着从二季度起，DRAM的全面涨价将得以体现。
存储芯片市场主要由DRAM和NAND Flash主导。此前，NAND Flash的价格从2023年下半年开始一路上涨，而DRAM报价的涨幅相对较少。据数据显示，2023年12月，DRAM报价仅微幅调涨2%-3%，明显低于3D TLC NAND约10%的涨幅。
在供给方面，业界指出，无论是DRAM还是NAND，2023年Q4上游供货状况并不紧缺。然而，随着原厂酝酿提价，未来市场走势仍存在不确定性。
此次涨价潮对整个存储器行业产生了重大影响。对于OEM厂商而言，DRAM价格的上涨将对他们的生产成本产生影响。为了保持利润空间，他们可能需要在产品设计和生产过程中寻求更高效的解决方案，或者通过与供应商协商降低其他材料的成本来缓解压力。