【Techweb】临近年底，今年最后一波顶级旗舰大比拼也进入最后的高潮，剩余还未亮相的骁龙8 Gen3旗舰新机目前也基本都已开启了密集的预热，其中号称将压轴登场的真我GT5 Pro也是近来备受关注的机型之一。据官方日前宣布，该机将于12月7日正式登场，随着发布时间的日益临近，官方关于新机的预热也更加密集。现在有最新消息，近日真我官方进一步带来了该机在散热方面的更多细节。
据realme真我手机官方最新发布的信息显示，与此前曝光的消息基本一致，全新的真我GT5 Pro不仅将搭载当前性能最强悍的骁龙8 Gen3旗舰芯片，同时为了让其性能实力可以充分发挥，将会为该机配备3VC冰山散热系统，VC散热面积达到12000mm²，远超行业普通的5000mm2，实现了“别墅级”立体散热，具有6倍等效导热能力，CPU核心温度至高下降21.8°C，号称将挑战性能释放最极致的8Gen3手机。
其他方面，根据此前曝光的消息，全新的真我GT5 Pro将采用当下主流的外观设计，正面将采用一块6.78英寸1.5K分辨率双曲面单孔屏，号称是“同档位最好的屏幕”。硬件上将首批搭载骁龙8 Gen3旗舰芯片，是迄今为止性能最强悍的骁龙5G Soc，并且将率先普及1TB存储，带来满级内存体验新突破，号称“速度快到飞起”。将后置5000万像素+5000万像素+800万像素三摄，采用索尼IMX890长焦镜头，这是行业内传感器尺寸最大的潜望长焦，最高支持120X超级变焦，官方称之为“长焦之王”。除此之外，该机内置5400mAh电池，支持100W有线快充和50W无线快充。
据悉，全新的真我GT5 Pro将在12月7日与大家见面，将首批搭载骁龙8 Gen3旗舰芯片，定位“双擎旗舰。更多详细信息，我们拭目以待。