10 月 21 日消息,三星公司在今天举办的储存技术日活动中,向外界展示了诸多新产品,其中包括名为“Shinebolt”的下一代 HBM3E DRAM,可以满足下一代 AI 数据中心应用需求。
三星表示“Shinebolt”HBM3E DRAM 的每个引脚速度为 9.8Gbps,可以实现 1.2 TBps 的传输速率,不断提高总拥有成本(TCO),加快数据中心的 AI 模型训练和推理任务。
三星为了实现更多的层数堆叠并改善散热,优化了非导电薄膜 (NCF) 技术,以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。
三星的 8H 和 12H HBM3 产品目前正在批量生产中,Shinebolt 的样品正在向客户发货。凭借其作为整体半导体解决方案提供商的优势,该公司还计划提供定制的 turnkey 服务,将下一代 HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起。
从新闻稿中获悉,三星本次还展示了多款新品,包括具有业界最高容量的 32Gb DDR5 DRAM,业界首款 32Gbps GDDR7,此外还介绍了 PB 级 PBSSD,显著提升了服务器应用程序的存储功能。
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