本文摘自：内存系列二：深入理解硬件原理 – 知乎 (zhihu.com)，感谢作者！
上次虽然解决了小张的问题，却引发了他对内存原理的兴趣。这不他又来找我了，说我还欠他一个解释。这次我们约在一个咖啡馆见面，这次内容有点深入，我带了些图片，小张也点了一大杯美式，计划大干一场。看着他认真的样子，我也决定毁人不倦，把他也带入IT工程师的不归路。。。
寻址(addressing)
为了了解前几天说的几个延迟参数，不得不介绍下DIMM的寻址方式。也许你发现了上次介绍Rank和chip的关系时，有个Bank/Column/row我们没有讲到，它们和如何寻址密切相关。还记得上次的图片吗？
这次我们来看看rank和Chip里面有什么，如下图：
这是个DDR3一个Rank的示意图。我们把左边128MB Chip拆开来看，它是由8个Bank组成，每个Bank核心是个一个存储矩阵，就像一个大方格子阵。这个格子阵有很多列（Column）和很多行（Row），这样我们想存取某个格子，只需要告知是哪一行哪一列就行了，这也是为什么内存可以随机存取而硬盘等则是按块存取的原因。
说到这里，小张来了兴致：“我知道，我知道，大学学过，计算机组成原理里面讲过，这是存储单元的行地址线和列地址线，中间那个格子里面是一个Bit！”。小张掌握的知识还不少呢! 但是这里只是有些类似，可以这么想象，但不尽然，CAS#和RAS#只有一根信号线。实际上每个格子的存储宽度是内存颗粒（Chip）的位宽，在这里由8个Chip组成一个Rank，而CPU寻址宽度是64bit,所以64/8=8bit，即每个格子是1个字节。选择每个格子也不是简单的两组信号，是由一系列信号组成，以这个2GB DDR3为例：
1. 片选（Chip Select）信号，S0#和S1#，每个用于选择是哪个Rank。
2. Bank地址线，BA0-BA2, 2^3=8,可以选择8个Bank
3. 列选 (Column Address Select), CAS#,用于指示现在要选通列地址。
4. 行选（Row Address Select），RAS#用于指示现在要选通行地址。
5. 地址线，A0-A13，用于行和列的地址选择（可并不都用于地址，本处忽略）。
6. 数据线，DQ0-DQ63，用于提供全64bit的数据。
7. 命令，COMMAND,用于传输命令，如读或者写等等。
注意这里没有内存颗粒的选择信号线，只有Rank的选择信号。在Rank选择好后，8个内存颗粒一起被选中，共提供64bit的数据。
读取和写入数据也稍微复杂点，简单来说分为以下三步：
1. 行有效。RAS#低电平，CAS#高电平。意味着现在行地址有效，同时在A0-A13传送地址信号，即2^13个Row可以选择。
2. 列有效。RAS#高电平，CAS#低电平。意味着列地址有效，这时在A0-A13上传送的是列地址。没错，A0-A13是行列共用的，所以每个格子选择需要有1和2两步才能唯一确定。
3. 数据读出或写入。根据COMMAND进行读取或者写入。在选定好小方格后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据I/O通道（DQ）输出到内存总线上了。
这里只介绍随机访问， Burst模式这里略过。下图是个简单的图示：
时序（Timing）
一气说了这么多，我不禁口干舌燥，停下来喝了一大口咖啡。小张以为我说完了，着急的问我：“我好像听懂了，不过那好几个数字还没讲呢。”。别着急啊，且听我慢慢道来。正因为访问一个数据需要大致三步，为了保证信号的完整性，步骤直接要有区隔，一起发出来会造成错乱，间隔太近也会为采样带来难度，容易引入噪音。所以时序非常重要，
下面是个背对背(back-to-back)读写的时序图：
时延（Latency）
小张一看到这个图，不禁大叫:”太复杂了，看得我都犯密集恐惧症了，看不懂！“。没关系，我们拆开了一个个看。
1. CL: CAS Latency。CL是指CAS发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为CL（CAS Latency，CAS时延）。由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取时延（RL，Read Latency）。也就是我们上面第3步读取时需要的时间。CL是延迟里面最重要的参数，有时会单独在内存标签上标出如CLx。它告诉我们多少个时钟周期后我们才能拿到数据，CL7的内存会延迟7个周期才能给我们数据，CL9的则要等9个。所以越小我们越能更快的拿到数据。注意这里的周期是真正的周期而不是标注的DDR3 1333MHz的周期，因为一个周期传输两次，真正的周期只是1/2，这里是666MHz。如下图，是CL7和CL9的例子：
如果相同频率的内存，CL7可以比CL9有22%的效能提高。
2. tRCD：RAS到CAS时延。在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这是根据芯片存储阵列电子元件响应时间所制定的延迟。即步骤1和2要间隔的时间。这个间隔当然也是越快越好了，下面是个tRCD=3的例子：
你也可以看出这个时间也是激活命令和读命令的间隔。
3. tRP: 预充电有效周期（Precharge command Period）。在上一次传输完成后到下一次行激活前有个预充电过程，要经过一段充电时间才能允许发送RAS。也就是步骤1的准备工作要做多久。下面是个例子：
还有两个类似的时延tRAS和CMD，我看到小张都快睡着了就不讲了。总之，所有这些时延共同构成了整体时延，而时延是越小越好。
SPD
说了这么多，小张总算搞懂内存标签条上的4-4-4-8, 5-5-5-15, 所代表的 CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD都是啥意思了。不过小张有点搞不懂，这些数据印在纸上消费者是看懂了（实际上似乎没多少人了解），可电脑又没长眼睛，它是怎么知道的呢?其实，每个DIMM在板子上都有块小的存储芯片（EEPROM），上面详细记录了包括这些的很多参数，还有生产厂家的代码等等，这也是BIOS为什么能知道我们插了哪种内存的原因。在小张的内存条上，我指给了他看:
实际上随着DDR的一步步进化，这些延迟的时钟周期个数也在步步提高，但由于频率的加快，实际上是在时间是在慢慢的减少的。
效能提高的其他手段
看时间还早，我和小张聊起了除了提高频率，还有什么办法能够提高内存存取速度。
1。多通道（Channel）
现代内存控制器都从北桥移入CPU内部，而且内存控制器都可以同时操作多个通道。典型的台式机和笔记本CPU很早就支持双通道，现在还加入了三通道。如果数据分布在插在不同的通道上的内存条上，内存控制器可以不管上面这些延迟啊时序啊，同时可以读取他们，速度可以翻倍甚至三倍！小张听了跳了起来:”我也要翻倍！”。别急，要启用多通道，首先要插对插槽。现在主板制造商为了让小白用户插对内存条，通常用颜色标识内存通道。注意同一个通道颜色不同！所以要把内存插在颜色相同的内存插槽里，才能让内存占据不同的通道。最好有主板手册检查一下，插好后进入BIOS里面看看现在内存状态是不是多通道模式。
2。Interleave
看着小张跃跃欲试的样子，我不禁给他泼了盆冷水。幻想美妙，现实残酷。多通道在很多时候用处并不明显！因为程序的局部性，一个程序并不会把数据放到各个地方，从而落入另一个DIMM里，往往程序和数据都在一个DIMM里，加上CPU的Cache本身就会把数据帮你预取出来，这个提高就个不明显了。除非你运行很多巨型任务才行。
“啊，我都是开一个游戏打，对我来说没啥用处啊，简直是鸡肋！”，小张说。也不尽然，还有种办法，就是让同一块内存分布到不同的通道中去，这种技术叫做Interleaving。这样无论Cache命中与否都可以同时存取，多通道的技术才能发挥更大的用处。“太好了，要怎么才能开启这个interleave呢？”，我不禁呵呵了，这个功能一般只有服务器CPU才有，你的i5要是有了，谁去买几千上万的服务器CPU呢？
3。Overclock
“你这不是废话吗，我要怎么样才能搭建个发烧机才配有的高速内存呢？”。其实小张可以购买发烧级的内存条。这些内存条DDR3标注达到2133以上！但是要注意，如果我们把这些内存插入一般主板，很有可能会运行在1333或者1600上面，因为这是DDR3规定的最高频率。好马配好鞍，要有个能支持超频内存的主板，在主板BIOS里面升压升频才能真正用好这些发烧内存条。