自己看了两天关于DDR的资料，思路很乱，给自己整理下。
ddr是全球通用的标准，我们拿三星的颗粒举例子。三星官网：https://www.samsung.com/semiconductor/cn/
打开官网的产品一行，我们就能看到DDR和LPDDR了。它们对应的中文名字图片上写的很官方了。
DDR它们现在主要有DDR3和DDR4。
LPDDR它们现在主要有LPDDR3,LPDDR4,LPDDR4x,LPDDR5。
DDR它们现在主要有DDR3和DDR4。
LPDDR它们现在主要有LPDDR3,LPDDR4,LPDDR4x,LPDDR5。
在这里我们就拿DDR3和LPDDR3来对比分析吧。
DDR3选择K4B4G1646E（4Gb）（官网有数据手册）。
LPDDR3选择K4E6E304EB16Gb)（官网没有数据手册，后面上传）。
首先看下命名规则：
迷惑之起因
对比下引脚图的差异：
惊奇的发现LPDDR3没有BA0-BA2
在参考原理图里LPDDR3也是悬空的。
正文开始
内存：
ROM:Read Only Memory
RAM:Random Access Memory
SRAM: Static Random Access Memory
DRAM: Dynamic Random Access Memory
SRAM:寄存器存数据，一位需要几个MOS管，只要供电数据就不会丢失)
DRAM:MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。)
首先CPU从DDR或LPDDR读数据主要两个工作：①：选中行列地址及BANK等地址。②：数据线读数据。
LPDDR3的BA0-BA3是地址线，复用在CA0-CA9。下图是LPDDR3的：