HardwareInfo消息,2021年国际固态电路会议(ISSCC)于上周开始。在这次活动中,台积电(TSMC)董事Mark Liu博士就公司即将推出的3nm工艺的进展作了演讲。此外,还讨论了一些有助于未来流程的性能和效率改进的技术。
Liu重申N3的发展已步入正轨,但批量生产今年尚未开始。如果一切按计划进行,则大规模生产将在2022年开始。如先前宣布的那样,N3的晶体管密度是N5的1.7倍,或者说是相同数量晶体管芯片面积的58%。在相同的功耗下,3nm节点的速度应提高11%,或者在相同的频率下,其消耗将减少27%。
迄今为止,台积电已经在其7纳米工艺中生产了约18亿个芯片。
台积电董事长随后展示了设计技术协同优化(DTCO),并详细介绍了如何更加充分的利用每个新节点的晶体管。由于使用了如单扩散中断,翅片减少和各种自对准功能等新技术,DTCO已成为可能。