1 月 25 日消息，SK 海力士宣布，公司成功开发出全球当前速度最快的移动 DRAM（内存）“LPDDR5T Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”，并已向客户提供了样品。
SK 海力士在去年 11 月推出了移动 DRAM LPDDR5X，现在将其性能提升成功开发出了 LPDDR5T。本次产品的速度比现有产品快 13%，运行速度高达 9.6Gbps（Gb / s）。命名规格名称“LPDDR5”加以“Turbo”后缀显示更强性能。LPDDR5X 速度为 8.5Gbps。
同时，LPDDR5T 在国际半导体标准化组织 JEDEC) 规定的最低电压 1.01~1.12V（伏特）下运行。本次产品兼具高速度和低功耗的特性。
公司近期向客户提供了将 LPDDR5T 芯片组合为 16GB 千兆) 容量的封装样品。SK 海力士称，该样品的数据处理速度可达每秒 77GB，相当于每秒处理 15 部全高清（Full-HD）电影。
了解到，SK 海力士计划采用第 4 代 10 纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。
另外，SK 海力士在本次产品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工艺，实现最佳性能表现，公司预计在下一代 LPDDR6 问世之前，大幅拉开技术差距的 LPDDR5T 将主导该市场。
SK 海力士期待 LPDDR5T 的应用范围不仅限于智能手机，还将扩展到人工智能 AI)、机器学习 Machine Learning)、增强 / 虚拟现实 AR / VR) 等。
下面是百科小知识
LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的 DRAM 规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新规格为第七代 LPDDR（5X），按 1-2-3-4-4X-5-5X 的顺序开发而成。LPDDR5T 是 SK 海力士业界首次开发的产品，是第八代 LPDDR6 正式问世之前，将第七代 LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。
HKMG（High-K Metal Gate）：在 DRAM 晶体管内的绝缘膜上采用高 K 栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK 海力士去年 11 月在移动 DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工艺。