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1 月 9 日消息，据韩媒 The Elec 消息，三星将加速 3D NAND 堆叠进程，正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级。
三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND 闪存，同时，下一代 V-NAND 路线图的轮廓也逐渐浮出水面。
据报道，三星计划 2024 年量产的第九代 V-NAND 将在 280 层 3D NAND 范围内。对于定于 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND，三星正在讨论跳过 300 层直接进入 430 层。
据分析，具体工作正在按照到 2030 年发展 1000 层 V-NAND 的目标逐步推进。也有观察认为，三星会长李在镕强调的“超级差距战略”的执行速度正在加快。
此外，业内人士透露，三星已经为第九代、第十代等 V-NAND 单元的数量制定了大致的路线图，正在从多个角度开发产品。
了解到，V-NAND 是三星于 2013 年首发的闪存技术，通过在垂直堆叠的平面层的三维空间中钻孔来连接每一层。
2013 年出现的第一代 V-NAND 是 24 层。此后又推出了第二代 32 层、第三代 48 层、第四代 64 层、第五代 92 层、第六代 128 层、第七代 176 层。每一代都经历了大约 1 年到 1 年零 6 个月的量产。
三星于 2022 年 11 月宣布量产了第八代 V-NAND，其堆叠层数为 236 层。据介绍，第八代 V-NAND 可提供 1Tb 128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。
