风君子博客8月30日消息，近期，亿铸科技创始人、董事长兼CEO熊大鹏在存算一体芯片论坛上发表演讲，他指出AI芯片正在从通用CPU、专用加速器发展为存算一体阶段，而冯·诺依曼架构的存储墙、能效墙、编译墙正在阻碍AI芯片算力和能效比的持续发展。
存算一体架构在突破这些瓶颈上具有先天优势。目前实现存算一体架构主要通过模拟、数模两种方式。模拟能够提高两个数量级以上的能效比，数模混合能部分解决精度问题，不过这两种方式会牺牲部分精度，同时数模、模数转换会带来能耗、面积和性能瓶颈。
据介绍，为了突破上述瓶颈，亿铸科技基于ReRAM打造了全数字化存算一体AI大算力芯片技术，通过数字化彻底解精度问题，在整个计算过程中，不受工艺环境的影响，实现高精度、大算力、超高能效比，切实将存算一体架构应用于大算力领域。
不同存储介质应用在不同场景上各有优劣势。熊大鹏认为，面向AI大算力场景，ReRAM是目前最合适的存储介质。亿铸科技选择ReRAM的优势在于非易失、密度大、密度上升空间巨大、能耗低、读写速度快、成本低、稳定、兼容CMOS工艺等特点。目前ReRAM的制造工艺已经成熟，且已经有ReRAM产品量产落地。