集微网报道 近日，据钜亨网消息，台积电近期传出将展开评估在美投资兴建第二座晶圆厂，拟切入 3 纳米制程，建厂时程约 2 年后。对此，台积电 8 月 19 日表示，不回应市场传闻。
此前，台积电美国亚利桑那州 5 纳米新厂，已于 7 月底上梁，预计一期于 2024 年量产，第一期月产能 2 万片。
不过，由于台积电亚利桑那州厂土地面积广大，占地约 445 公顷，先前就多次传出，台积电将扩大亚利桑那州投资计划，预计建 6 座晶圆厂。
台积电总裁魏哲家去年也曾说，台积电已在亚利桑那州取得大范围土地，以维持弹性，进一步扩建是有可能的，但首要任务是使第一期厂房顺利量产，接着根据营运效率、成本效益，及客户需求来决定下一步计划。
据了解，台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构，而三星的 3nm 节点采用 GAA 晶体管架构。三星甚至领先于台积电，将 3nm 工艺技术转向量产。
消息人士指出，AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通等厂商均已向台积电下达 3nm 芯片订单，但三星的 3nm GAA 工艺尚未吸引主要芯片供应商的订单。