北方华创正式发布 CCP 介质刻蚀机,实现刻蚀工艺全覆盖

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8 月 15 日消息,据北方华创官方宣布,今天,北方华创正式发布 CCP 介质刻蚀机,目前已在 5 家客户完成验证并实现量产。此前北方华创已推出 ICP 刻蚀机、金属刻蚀机等,实现刻蚀工艺全覆盖。

北方华创 NMC508 RIE 介质刻蚀机采用 8 吋设备二十年工艺基础;专为 8 吋工艺设计的腔室与硬件,满足定制化需求;6&8 吋兼容,可实现快速切换;目前,已在 5 家客户完成验证并实现量产;支持 18 年成熟的软件系统应用,以及稳定的备件系统,配备可靠供应链;搭载全套服务团队,可提供包括工艺开发、零部件供应、软件升级、质保服务等在内的全方位保障。

据官方介绍,NMC508 RIE 介质刻蚀机在前道工艺上,具有刻蚀形貌好、选择比高、工艺性能优越的特点;在后道工艺,可实现对金属副产物的有效控制,维护周期长;采用多频射频技术,具有刻蚀速率高、工艺均匀性佳、工艺窗口大等特点,可更好满足深孔小 CD 的应用发展趋势;在晶圆传输平台系统上,采用自主研发的通用平台,拥有成熟的软件系统,并具备晶圆自动定心 AWC) 功能,满足晶圆稳定传输作业的需求;在腔室设计上,采用独特的防等离子打火结构和精确的电极控温设计,具备温度分区控制功能,配备终点检测系统,满足关键刻蚀工艺的均一性、终点抓取等需求,且颗粒表现佳;耗材寿命长,维护便捷,可满足您拥有成本 COO) 和消耗成本 COC) 双低的需求。作为 CCP 刻蚀机,具备在介质刻蚀上的高选择比、高刻蚀速率等优势,适用于介质类氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等膜层材料;可为客户提供包括逻辑器件、功率器件、化合物半导体等在内的多种特色工艺;主要应用领域包括但不限于:Logic, BCD, Power Si / SiC / GaN), MEMS;

NMC508 RIE 介质刻蚀机的推出,完成了该领域国产设备工艺的最后一块拼图,实现了北方华创在 8 吋刻蚀设备上的整体解决方案,包括硅刻蚀、深硅刻蚀、金属刻蚀、化合物半导体刻蚀 SiC, GaN, GaAs, InP, LiNbO3, LiTaO3 等)等工艺设备。

北方华创还可提供包括 PVD、CVD、ALD、炉管、清洗等在内的 8 吋设备,提供整体解决方案。

《大国重器之国产刻蚀机:中国芯片燎原火》

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风君子

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