7 月 22 日消息，高通的旗舰平台骁龙 888 和骁龙 8 Gen 1 都为三星代工，此前实际业界体验已经证明芯片功耗较高，发热情况严重。而骁龙 8 Gen1 + 则改用台积电代工，整体功耗有所降低，发热情况也减轻了不少。
根据博主 @数码闲聊站 爆料，明年新机开案的平台，中高端几乎全线台积电，4nm 占大头。
了解到，根据此前爆料，高通骁龙 8 Gen 2 是骁龙 8 Gen 1 的继任者，将由台积电代工，但可能依然采用 4nm 制程，CPU 为八核心设计，分别为一个 X3 大核、两个 A720 中核、两个 A710 中核以及三个 A510 小核，而 GPU 的规格为 Adreno740。作为对比，目前的高通骁龙 8 Gen 1 的八核心 CPU 为一个 X2 大核、三个 A710 中核和四个 A510 小核，GPU 规格则为 Adreno730。
联发科下一代天玑 8000 系列芯片消息称也将采用台积电 4nm 工艺打造，有望在今年年底或明年年初到来，还会加强 5G 基带、ISP、AI 算力等外围规格，获得天玑 9000 的部分特性下放，Redmi、真我等厂商或已开案测试。
此外，天风国际证券分析师郭明錤表示，高通将推出代号为 Hamoa 的芯片与苹果 Apple Silicon 芯片全力竞争。对比苹果 M2 采用台积电 5nm N5P 工艺，高通 Hamoa 芯片采用 4nm 工艺，预计 2023 年第三季度量产。
另一边，三星已经率先宣布了采用全环绕栅极晶体管架构的 3nm 制程工艺，韩媒称首批芯片已定于 7 月 25 日发货，是为一家国内厂商代工，产量将相对较少，不会很多。