SK 海力士宣布公司开始量产 HBM3—— 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。
* HBM High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 产品，此前三代分别为 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。
SK 海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM，时隔七个月即宣布开始量产，这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。
随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统 DRAM，HBM 在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。
英伟达（NVIDIA）在近日完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估。SK 海力士将向英伟达系统供应 HBM3，而该系统预计将在今年第三季度开始出货。SK 海力士也将按照英伟达的计划，在今年上半年增加 HBM3 产量。
备受期待的英伟达 H100 被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。SK 海力士的 HBM3 带宽可达 819GB / s，有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输 163 部全高清（Full-HD）电影（每部影片约 5GB）。
SK 海力士社长（事业总管）卢钟元表示，与英伟达的紧密合作使得 SK 海力士在高端 DRAM 市场稳获一流的竞争力。“我们的目标是通过持续、开放式协同合作，成为洞悉和解决客户需求的解决方案提供商（Solution Provider）。”