4 月 28 日消息，三星电子周四宣布，将在本季度 即未来几周内) 开始使用 3GAE 早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造技术，也是首个使用环栅场效应晶体管 GAAFETs) 的节点。
“这是世界上首次大规模生产的 GAA 3 纳米工艺，将以此提高技术领先地位，”三星在一份报告中写道。
三星 Foundry 的 3GAE 工艺技术是首次使用 GAA 晶体管 三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管 MBCFET)”) 工艺。
了解到，三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 工艺节点。当该公司描述 使用其 3GAE 技术生产的 256Mb GAAFET SRAM 芯片时，它拿出了许多数据。
三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。
理论上，与目前使用的 Finfet 相比，Gaafet 有许多优势，例如可大大降低晶体管漏电流 即，降低功耗) 以及挖掘晶体管性能的潜在实力，这意味着更高的产率、和改进的产能。此外，根据应用材料公司最近的报告，GAAFETs 还可以减少 20% 至 30% 的面积。
当然，三星的 3GAE 只是一种“早期”的 3nm 级制造技术，3GAE 将主要由三星 LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个 SF 的其他 alpha 客户使用。如果这些产品的产量和性能符合预期，那么不久之后我们就可以看到新品大量出货了。
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