1 月 23 日消息,如今全球 NAND 闪存持续供过于求,相应市场面临严峻挑战,除了企业级 SSD 有动能支撑外,其他终端产品销量均普遍不如预期,供货商库存持续上升,订单需求下降。 据外媒 … Continue reading NAND 闪存过剩,消息称三星 / 铠侠 / SK 海力士 / 美光等制造商计划今年减产以稳定价格
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SK 海力士计划明年将 AI 用 HBM、DDR5 芯片销量翻倍
7 月 21 日消息,据 BusinessKorea 报道,SK 海力士在近日举办的投资者简报会上表示,该公司的目标是在明年将 AI 服务器的重要组件 HBM 和 DDR5 芯片的销量翻一番。 ▲&n … Continue reading SK 海力士计划明年将 AI 用 HBM、DDR5 芯片销量翻倍
三星电子、SK 海力士 3D DRAM 商业化加速
3 月 13 日消息,三星电子和 SK 海力士等全球 DRAM 巨头正在加速推进 3D DRAM 的商用化,但远不如美光公司(从 2019 年开始进行 3D DRAM 研究,获得的专利数量是 … Continue reading 三星电子、SK 海力士 3D DRAM 商业化加速
SK 海力士已决定削减明年投资,今年预计投资 10-20 万亿韩元
10 月 26 日消息,据国外媒体报道,正如分析师所预期的一样,在价格和需求双重下滑的影响下,SK 海力士发出了令人失望的三季度财报,营收与利润同比环比均出现下滑,尤其是净利润,同比环比下滑超过 60 … Continue reading SK 海力士已决定削减明年投资,今年预计投资 10-20 万亿韩元
内存供过于求,分析师预计 SK 海力士 Q3 业绩令人失望、Q4 由盈转亏
10 月 21 日消息,据韩国时报,在多重不利因素的影响下,智能手机等电子消费品的需求受到了影响,对存储芯片的需求也就此放缓,价格下滑,存储芯片制造商在业绩方面也在承受压力。 韩国媒体的最新的报道显示 … Continue reading 内存供过于求,分析师预计 SK 海力士 Q3 业绩令人失望、Q4 由盈转亏
SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存:传输速度提升 50%,能耗减少 21%
8 月 3 日消息,今天早些时候,SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存,将于明年上半年投入量产。现在,SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。 据介绍,S … Continue reading SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存:传输速度提升 50%,能耗减少 21%
SK 海力士开发出 DDR5 DRAM CXL 存储器,支持 PCIe 5.0 x8 通道
8 月 2 日消息,今天,SK 海力士宣布开发出首款基于 DDR5 DRAM 的 CXL 存储器样品。 了解到,该产品的形状尺寸为 EDSFF(Enterprise & Data Center … Continue reading SK 海力士开发出 DDR5 DRAM CXL 存储器,支持 PCIe 5.0 x8 通道
SK 海力士拟年内试产 238 层 NAND 闪存
SK 海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露,计划在年内完成 238 层 NAND 试产,并在 2023 年上半年实现量产。 针对美光近期量产 232 层 NAND 的动态,海力士方面表示各家厂商 … Continue reading SK 海力士拟年内试产 238 层 NAND 闪存
SK 海力士否认无限期推迟韩国工厂扩建:还没有作出决定
7 月 22 日消息,据韩联社报道,有消息人士称,由于全球经济的不确定性越来越严重,全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士暂停了韩国工厂扩建计划。 消息人士表示,在 SK 海力士上个月 29 日召开的 … Continue reading SK 海力士否认无限期推迟韩国工厂扩建:还没有作出决定
SK 海力士考虑将 2023 年资本支出削减 25% 降至 122 亿美元
7 月 15 日消息,据路透社报道,消息人士透露,受终端产品需求低于预期影响,全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士,在考虑将 2023 年的资本支出,削减约 25%。 从外媒的报道来看,SK 海力士 … Continue reading SK 海力士考虑将 2023 年资本支出削减 25% 降至 122 亿美元