消息称SK海力士获得博通HBM大单 用于AI计算芯片

风君子博客12月20日消息,据外媒报道,在人工智能领域所需的高带宽存储器(HBM)方面,SK海力士已占得了先机,他们是英伟达所需的HBM3的独家供应商,在HBM3市场的份额超过了90%,他们也已先于三 … Continue reading 消息称SK海力士获得博通HBM大单 用于AI计算芯片

SK海力士已为AI芯片研发及生产设立新部门 以增强AI存储领域领先优势

风君子博客12月5日消息,据外媒报道,由OpenAI训练的ChatGPT大火所引发的生成式人工智能热潮,给芯片产业带来了新的发展机遇,英伟达高性能的算力芯片就供不应求,他们的业绩也大幅提升,并推升市值 … Continue reading SK海力士已为AI芯片研发及生产设立新部门 以增强AI存储领域领先优势

黄仁勋希望SK海力士更早供应HBM4 较原计划提前6个月

风君子博客11月4日消息,据外媒报道,OpenAI、xAI等厂商大力采购英伟达的芯片,不只是推升了对英伟达芯片的需求,也推升了英伟达相关供应商的需求,对SK海力士高带宽存储器的需求就有提升。 而从外媒 … Continue reading 黄仁勋希望SK海力士更早供应HBM4 较原计划提前6个月

英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片

11 月 4 日消息,据路透社今日报道,韩国 SK 集团会长崔泰源表示,英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。 SK 海力士计划在 2025 … Continue reading 英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片

消息称三星电子Q3营业利润不及预期 与存储芯片业务有关

风君子博客10月9日消息,据外媒报道,三星电子昨日在官网给出了他们三季度的业绩指引,营收在78万亿到80万亿韩元,高于去年同期的67.4万亿,也高于今年二季度的74.07万亿,营业利润在9万亿到9.2 … Continue reading 消息称三星电子Q3营业利润不及预期 与存储芯片业务有关

消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化

9 月 3 日消息,韩媒 etnews 当地时间昨日报道称,三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。 消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化

SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM:相比上代速度提升 11%

8 月 29 日消息,SK 海力士今日宣布,全球首次成功开发出采用第六代 10 纳米级(1c)工艺的 16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展现了 10 纳米出头的超 … Continue reading SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM:相比上代速度提升 11%

消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片,为明年底量产做准备

8 月 19 日消息,韩媒 The Elec 当地时间本月 16 日报道称,三星电子将于今年底启动下代 HBM4 内存的流片(注:Tape-out),为明年底的 12 层堆叠 HBM4 产品量产做准备 … Continue reading 消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片,为明年底量产做准备

消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产,目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18%

8 月 14 日消息,综合韩媒《首尔经济日报》(上月 29 日)《朝鲜日报》(本月 13 日)报道,SK 海力士已向上游设备企业订购关键设备,目标提升 M16 晶圆厂的 HBM 和通用 DRAM 内存 … Continue reading 消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产,目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18%