9 月 6 日消息，美光在本月发布的技术博客中表示，其“生产可用”（注：原文 production-capable）的 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存现正向主要行业合作伙伴交付，以在整个 A … Continue reading 美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
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消息称三星 8 层 HBM3E 存储芯片已通过英伟达测试，有望第四季度供货
8 月 7 日消息，据路透社报道，知情人士称，三星电子第五代 8 层 HBM3E 产品已通过英伟达的测试，可用于后者的人工智能处理器。 知情人士表示，三星和英伟达尚未签署已获批的 8 层 HBM3E … Continue reading 消息称三星 8 层 HBM3E 存储芯片已通过英伟达测试，有望第四季度供货
美光量产HBM3E高带宽内存 用于英伟达H200二季度出货
风君子博客3月4日消息，美光近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 … Continue reading 美光量产HBM3E高带宽内存 用于英伟达H200二季度出货
带宽达 1.228TB / s，三星交付 HBM3E 内存样品“Shinebolt”
感谢网友 Alejandro86 的线索投递！ 10 月 18 日消息，据韩媒 businesskorea 消息，目前三星已经确认将其第五代 HBM3E 产品命名为“Shinebolt”。 ▲ 图源& … Continue reading 带宽达 1.228TB / s，三星交付 HBM3E 内存样品“Shinebolt”