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SK 海力士获得 ISO 26262 汽车半导体芯片安全认证
标签： DRAM
IC Insights：强劲上涨之后减库存，DRAM 价格将在今年第 4 季度回落
TrendForce：明年 DRAM 产业将由供不应求转至供过于求
DRAM 价格进入下行周期，三星和 SK 海力士将启动出货控制计划
DRAM 价格开启下跌模式，看三星电子、SK 海力士如何应对
DRAM 存储器 10 月价格下跌近 10％，为全年首次降价，NAND 闪存本月价格与上月持平
美光桃园厂受地震冲击，分析师称 DRAM 价反弹或早于预期
消息称专用 DRAM 和 NOR 闪存芯片明年仍将供不应求
美光计划斥资70亿美元在日本建厂 提高DRAM芯片产能
10月20日消息， … Continue reading 美光计划斥资70亿美元在日本建厂 提高DRAM芯片产能
看好中长期需求，美光欲在日本建先进 DRAM 工厂
10 月 20 日消息， … Continue reading 看好中长期需求，美光欲在日本建先进 DRAM 工厂
SK 海力士率先开发出 HBM3 DRAM 内存：单片最高 24GB，819 GB/s 带宽
三星宣布 14 纳米 EUV DDR5 DRAM 正式量产
10 月 12 日消息 10 月 … Continue reading 三星宣布 14 纳米 EUV DDR5 DRAM 正式量产
三星电子开始采用EUV技术批量生产14纳米DRAM芯片
10月12日消息，据 … Continue reading 三星电子开始采用EUV技术批量生产14纳米DRAM芯片
消息人士：DRAM 合约价格 Q4 跌幅将超过预期
据市场消息人士透露， … Continue reading 消息人士：DRAM 合约价格 Q4 跌幅将超过预期