10 月 22 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子本月首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存 Good Die 良品晶粒，公司内部对此给予积极 … Continue reading 消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
标签： DRAM
消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。 消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM：相比上代速度提升 11%
8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代 10 纳米级（1c）工艺的 16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了 10 纳米出头的超 … Continue reading SK 海力士开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM：相比上代速度提升 11%
台湾地区本月 13 日遭雷雨引发停电，DRAM 企业南亚科技损失 3~5 亿新台币
8 月 15 日消息，据台湾地区 DRAM 内存企业南亚科技官网 14 日动态，该公司初步估计因本月 13 日的停电事件遭受 3 亿~5 亿新台币（备注：当前约 6636.1 万~1.11 亿元人民币 … Continue reading 台湾地区本月 13 日遭雷雨引发停电，DRAM 企业南亚科技损失 3~5 亿新台币
消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产，目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18%
8 月 14 日消息，综合韩媒《首尔经济日报》（上月 29 日）《朝鲜日报》（本月 13 日）报道，SK 海力士已向上游设备企业订购关键设备，目标提升 M16 晶圆厂的 HBM 和通用 DRAM 内存 … Continue reading 消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产，目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18%
TrendForce：2024 年一季度 DRAM 内存产业营收规模达 183.47 亿美元，同比涨幅近九成
6 月 13 日消息，行业研究机构 TrendForce 集邦咨询近日研报显示，2024 年一季度 DRAM 内存产业营收规模达 183.47 亿美元（备注：当前约 1331.73 亿元人民币），环比 … Continue reading TrendForce：2024 年一季度 DRAM 内存产业营收规模达 183.47 亿美元，同比涨幅近九成
消息称美光将斥资至多八千亿日元，新建广岛 EUV 光刻 DRAM 内存晶圆厂
感谢网友 乌蝇哥的左手、华南吴彦祖、咩咩洋、Diixx 的线索投递！ 5 月 28 日消息，据日媒《日刊工业新闻》报道，美光将斥资 6000~8000 亿日元（备注：当前约 277.2~369.6 亿 … Continue reading 消息称美光将斥资至多八千亿日元，新建广岛 EUV 光刻 DRAM 内存晶圆厂
消息称三星电子、SK 海力士目前对通用存储芯片增产持保守态度
5 月 22 日消息，韩媒 Bussinesskorea 昨日报道称，三星电子、SK 海力士目前对于增产通用存储芯片持保守态度。 获悉，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士目前对通用存储芯片增产持保守态度
JEDEC 更新 DDR5 内存标准：从 6800 扩展至 8800Mbps，新增 PRAC 方案
感谢网友 ferris230385 的线索投递！ 4 月 19 日消息，JEDEC 协会发布最新 JESD79-5C DDR5 SDRAM 标准，旨在提高可靠性和安全性并增强性能，适用于从高 … Continue reading JEDEC 更新 DDR5 内存标准：从 6800 扩展至 8800Mbps，新增 PRAC 方案
三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量
感谢网友 SNOS雪诺 的线索投递！ 4 月 17 日消息，三星近日宣布已开发出其首款支持高达 10.7Gbps 速率的 LPDDR5X DRAM 内存。 参考以往报道，目前其他厂商的 LPDDR5X … Continue reading 三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存，实现 32GB 单封装容量