1 月 23 日消息，如今全球 NAND 闪存持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级 SSD 有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。 据外媒 … Continue reading NAND 闪存过剩，消息称三星 / 铠侠 / SK 海力士 / 美光等制造商计划今年减产以稳定价格
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消息称铠侠 7 月内启动 1Tb 版 218 层 BiCS8 3D NAND 闪存量产
感谢网友 华南吴彦祖 的线索投递！ 7 月 4 日消息，《日经新闻》报道称，铠侠将于本 (7) 月内在日本三重县四日市工厂启动 1Tb 版 BiCS8 3D NAND 闪存的量产。 ▲ 铠侠 … Continue reading 消息称铠侠 7 月内启动 1Tb 版 218 层 BiCS8 3D NAND 闪存量产
Omdia：2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%，为去年 3.6 倍
6 月 14 日消息，韩媒 Sedaily 转述市场分析机构 Omdia 的话称，2027 年 QLC 市场规模将占到整体 NAND 闪存的 46.4%，仅略低于 TLC 的 51%。 作为对比，Om … Continue reading Omdia：2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%，为去年 3.6 倍
又一国产硬盘入局！紫光集团发布“紫光闪存”固态硬盘产品系列
感谢网友 我抢了台 的线索投递！ 5 月 24 日消息，近日，新紫光集团旗下紫光闪芯发布了「紫光闪存」固态硬盘及闪存产品系列。相关产品系列覆盖企业级、工业级及消费级市场的不同需求，为政府、金融、电信、 … Continue reading 又一国产硬盘入局！紫光集团发布“紫光闪存”固态硬盘产品系列
消息称三星电子、SK 海力士目前对通用存储芯片增产持保守态度
5 月 22 日消息，韩媒 Bussinesskorea 昨日报道称，三星电子、SK 海力士目前对于增产通用存储芯片持保守态度。 获悉，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士目前对通用存储芯片增产持保守态度
铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片：连读写入速率提升 15%、封装面积减小 18%
4 月 23 日消息，铠侠今日宣布出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可选，专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。 256GB：THGJFMT1E … Continue reading 铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片：连读写入速率提升 15%、封装面积减小 18%
消息称铠侠再次寻求上市，筹集研发运营资金
4 月 16 日消息，据《日本经济新闻》《读卖新闻》和彭博社报道，闪存企业铠侠将再次寻求上市。其登陆东京证券交易所的最早时间将是今年十月。 自 2019 年从东芝分拆以来，铠侠一直在寻求 IPO 的机 … Continue reading 消息称铠侠再次寻求上市，筹集研发运营资金
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务
4 月 7 日消息，据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND … Continue reading 铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务
长江存储 QLC 闪存 X3-6070 擦写寿命已达四千次，追上 TLC 产品
3 月 28 日消息，据台媒 DIGITIMES 报道，长江存储在中国闪存市场峰会 CFMS 2024 上表示采用第三代 Xtacking 技术的 X3-6070 QLC 闪存已实现 400 … Continue reading 长江存储 QLC 闪存 X3-6070 擦写寿命已达四千次，追上 TLC 产品
必恩威推出 XLR8 CS3150 PCIe Gen5 SSD，顺序写入速度 11000 MB/s
11 月 15 日消息，必恩威（PNY）近日推出 XLR8 CS3150 M.2 NVMe PCIe Gen5 x4 SSD，顺序读取速度为 12000 MB/s，顺序写入速度为 11000 MB/s … Continue reading 必恩威推出 XLR8 CS3150 PCIe Gen5 SSD，顺序写入速度 11000 MB/s