基本原理在这里不赘述，不认识的人看书、百度，都有说明。 这篇文章收集资料，学习平时注意不到的现场效果的要点。 向管中加入负偏压UGS后，PN结形成空间电荷区，由于其载流子少，也称为耗尽区。 其性能类似 … Continue reading N沟道场效应管工作原理(稳压二极管的工作原理)
标签： 沟道
半导体器件—–短沟道效应
MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。 它们是： ࿰ … Continue reading 半导体器件—–短沟道效应
N沟道场效应管工作原理稳压二极管的工作原理
基本原理在这里不赘述，不认识的人看书、百度，都有说明。 这篇文章收集资料，学习平时注意不到的现场效果的要点。 向管中加入负偏压UGS后，PN结形成空间电荷区，由于其载流子少，也称为耗尽区。 其性能类似 … Continue reading N沟道场效应管工作原理稳压二极管的工作原理