半导体器件—–短沟道效应 MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。 它们是： ࿰ … Continue reading 半导体器件—–短沟道效应
