1 月 9 日消息,芝奇国际昨日(1 月 8 日)发布博文,宣布搭配华硕最新 ROG Crosshair X870E Apex 主板,成功将内存超频至 DDR5-10600,并在 UCLK 与 MCL … Continue reading 全球首秀:芝奇 DDR5-10600 24GBx2 烧机过测、DDR5-6800 CL28 UCLk:MCLK 1:1 达成
标签: 内存
瞄准 2025 年量产,消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存
11 月 12 日消息,韩媒 MK 昨日(11 月 11 日)发布博文,报道称三星已着手为微软和 Meta 两家公司,供应定制的 HBM4 内存。 高带宽内存(HBM)是一种新型计算机内存接口,旨在提 … Continue reading 瞄准 2025 年量产,消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存
12196 MT/s,微星、金士顿创下 DDR5 内存超频新纪录
11 月 5 日消息,微星内部超频大师 Kovan Yang 使用 MEG Z890 UNIFY-X 主板、金士顿叛逆者 Renegade DDR5 CUDIMM 内存创下内存超频 … Continue reading 12196 MT/s,微星、金士顿创下 DDR5 内存超频新纪录
突破 DDR5-12000!4 位超频好手缔造佳绩,解锁内存超频里程碑
感谢网友 凌晨的鱼 的线索投递! 10 月 26 日消息,“GSKILL 芝奇国际”官方发布博文,宣布 4 位超频玩家使用芝奇 DDR5 内存,成功突破 DDR5-12000+ 超频纪录里程碑。 4 … Continue reading 突破 DDR5-12000!4 位超频好手缔造佳绩,解锁内存超频里程碑
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒,未来将用于 HBM4 内存
10 月 22 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称,三星电子本月首次开发出 1c nm(第 6 代 10nm 级)DRAM 内存 Good Die 良品晶粒,公司内部对此给予积极 … Continue reading 消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒,未来将用于 HBM4 内存
十铨推出 T-Force Xtreem CKD DDR5 游戏内存,最高超频至 9600 MHz
10 月 11 日消息,科技媒体 techpowerup 今天(10 月 11 日)发布博文,报道称十铨(Team Group)推出最新的 T-Force CKD(Client Clock Drive … Continue reading 十铨推出 T-Force Xtreem CKD DDR5 游戏内存,最高超频至 9600 MHz
美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
9 月 6 日消息,美光在本月发布的技术博客中表示,其“生产可用”(注:原文 production-capable)的 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存现正向主要行业合作伙伴交付,以在整个 A … Continue reading 美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
9 月 3 日消息,韩媒 etnews 当地时间昨日报道称,三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。 消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片,为明年底量产做准备
8 月 19 日消息,韩媒 The Elec 当地时间本月 16 日报道称,三星电子将于今年底启动下代 HBM4 内存的流片(注:Tape-out),为明年底的 12 层堆叠 HBM4 产品量产做准备 … Continue reading 消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片,为明年底量产做准备
台湾地区本月 13 日遭雷雨引发停电,DRAM 企业南亚科技损失 3~5 亿新台币
8 月 15 日消息,据台湾地区 DRAM 内存企业南亚科技官网 14 日动态,该公司初步估计因本月 13 日的停电事件遭受 3 亿~5 亿新台币(备注:当前约 6636.1 万~1.11 亿元人民币 … Continue reading 台湾地区本月 13 日遭雷雨引发停电,DRAM 企业南亚科技损失 3~5 亿新台币